J
2016
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure
SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE et al.
Základní údaje
Originální název
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure
Autoři
SCHÄFER, Jan; Jaroslav HNILICA; Jiří ŠPERKA; Antje QUADE; Vít KUDRLE; Rüdiger FOEST; Jiří VODÁK a Lenka ZAJÍČKOVÁ
Vydání
Surface and Coatings Technology, Elsevier, 2016, 0257-8972
Další údaje
Typ výsledku
Článek v odborném periodiku
Obor
Fyzika plasmatu a výboje v plynech
Stát vydavatele
Velká Británie a Severní Irsko
Utajení
není předmětem státního či obchodního tajemství
Označené pro přenos do RIV
Ano
Kód RIV
RIV/00216224:14310/16:00087594
Organizace
Přírodovědecká fakulta – Masarykova univerzita – Repozitář
Klíčová slova anglicky
Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide
Návaznosti
ED1.1.00/02.0068, projekt VaV. ED2.1.00/03.0086, projekt VaV. LO1411, projekt VaV. TE02000011, projekt VaV.
V originále
We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Zobrazeno: 21. 5. 2026 11:16